창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF1405ZLPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF1405Z(S,L)PbF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 25/Apr/2014 | |
| PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 | |
| 카탈로그 페이지 | 1514 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 75A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.9m옴 @ 75A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 180nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4780pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 230W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
| 공급 장치 패키지 | TO-262 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | *IRF1405ZLPBF SP001570006 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF1405ZLPBF | |
| 관련 링크 | IRF1405, IRF1405ZLPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | BA51-108C | BA51-108C ML DIP | BA51-108C.pdf | |
![]() | BCRL1/4-R10F-T | BCRL1/4-R10F-T ORIGINAL SMD | BCRL1/4-R10F-T.pdf | |
![]() | RGJ3901DTNANT | RGJ3901DTNANT ORIGINAL SMD or Through Hole | RGJ3901DTNANT.pdf | |
![]() | TPS76427DBVT | TPS76427DBVT TI SOT23-5 | TPS76427DBVT.pdf | |
![]() | GBPC4006M | GBPC4006M TSC SMD or Through Hole | GBPC4006M.pdf | |
![]() | TDA6170XC1 | TDA6170XC1 INFINEON SOP28 | TDA6170XC1.pdf | |
![]() | 6FL60S2 | 6FL60S2 IR SMD or Through Hole | 6FL60S2.pdf | |
![]() | W26NM60 | W26NM60 ST TO-3P | W26NM60.pdf | |
![]() | S2022 | S2022 ORIGINAL TSSOP-8 | S2022.pdf | |
![]() | BT817KPF100 | BT817KPF100 BT QFP | BT817KPF100.pdf | |
![]() | 4AK11 | 4AK11 HITACHI SMD or Through Hole | 4AK11.pdf | |
![]() | MSA-1120-BLK | MSA-1120-BLK Agilent SMT | MSA-1120-BLK.pdf |