창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF1404ZPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF1404Z (S,L) PbF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
| 설계 리소스 | IRF1404ZPBF Saber Model IRF1404ZPBF Spice Model | |
| PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1513 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 75A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.7m옴 @ 75A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 150nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4340pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 200W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | *IRF1404ZPBF IRF1404Z-010PBF IRF1404Z-010PBF-ND SP001574476 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF1404ZPBF | |
| 관련 링크 | IRF140, IRF1404ZPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
| FA22NP01H224JNU06 | 0.22µF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.295" L x 0.177" W(7.50mm x 4.50mm) | FA22NP01H224JNU06.pdf | ||
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![]() | 248005002100829+ | 248005002100829+ KYOCERA SMD or Through Hole | 248005002100829+.pdf | |
![]() | 1812-3.6R | 1812-3.6R ORIGINAL SMD or Through Hole | 1812-3.6R.pdf | |
![]() | DSB321SE 18.4140MHZ | DSB321SE 18.4140MHZ ORIGINAL SMD | DSB321SE 18.4140MHZ.pdf | |
![]() | IRFZ34N-Mexico | IRFZ34N-Mexico IR SMD or Through Hole | IRFZ34N-Mexico.pdf | |
![]() | LTC3410ESC6-6#PBF | LTC3410ESC6-6#PBF LT SMD or Through Hole | LTC3410ESC6-6#PBF.pdf | |
![]() | PSB192/18 | PSB192/18 POWERSEM SMD or Through Hole | PSB192/18.pdf | |
![]() | ROD-16V332M | ROD-16V332M ELNA DIP | ROD-16V332M.pdf |