창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF135B203 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF135(B,F)203 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | StrongIRFET™ | |
| 포장 | * | |
| 부품 현황 | 신제품 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 135V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 129A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.4m옴 @ 77A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 270nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9700pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 441W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | * | |
| 패키지/케이스 | * | |
| 공급 장치 패키지 | * | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | SP001576588 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF135B203 | |
| 관련 링크 | IRF135, IRF135B203 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | 7A-11.0592MBBK-T | 11.0592MHz ±50ppm 수정 20pF 80옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7A-11.0592MBBK-T.pdf | |
![]() | NS8JTHE3_A/P | DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC | NS8JTHE3_A/P.pdf | |
![]() | FX GO5200 | FX GO5200 NVIDIA BGA | FX GO5200.pdf | |
![]() | AT070TN01 | AT070TN01 JRC N A | AT070TN01.pdf | |
![]() | ND112 | ND112 AUK SMD or Through Hole | ND112.pdf | |
![]() | HCPL-M600-500E(P/B) | HCPL-M600-500E(P/B) AVAGO SOP-5 | HCPL-M600-500E(P/B).pdf | |
![]() | AL240C-QF | AL240C-QF AVERLOGIC QFP | AL240C-QF.pdf | |
![]() | PEF02HP | PEF02HP MAXIM SMD | PEF02HP.pdf | |
![]() | NX3L1T3157GW,125 | NX3L1T3157GW,125 ORIGINAL SMD or Through Hole | NX3L1T3157GW,125.pdf | |
![]() | UT20143 | UT20143 UMEC SOPDIP | UT20143.pdf | |
![]() | FDS7098N3-NL | FDS7098N3-NL FAIRCHILD SOP-8 | FDS7098N3-NL.pdf | |
![]() | NCV7812BD2TR4 | NCV7812BD2TR4 ON SOT-263 | NCV7812BD2TR4.pdf |