창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF1324STRL-7PP | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF1324S-7PPbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
설계 리소스 | IRF1324S-7PPBF Saber Model IRF1324S-7PPBF Spice Model | |
PCN 단종/ EOL | Multi Mosfet EOL 2/Mar/2016 | |
PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1519 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 생산 종료 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 24V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 240A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1m옴 @ 160A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 252nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7700pF @ 19V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-7, D²Pak(6리드(lead)+탭), TO-263CB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK(7-Lead) | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | IRF1324STRL-7PPTR IRF1324STRL7PP SP001574484 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF1324STRL-7PP | |
관련 링크 | IRF1324ST, IRF1324STRL-7PP 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | SIT8008BC-11-33E-45.158400D | OSC XO 3.3V 45.1584MHZ OE | SIT8008BC-11-33E-45.158400D.pdf | |
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![]() | ST6012 | ST6012 ST SOP-28 | ST6012.pdf | |
![]() | S29PL127J60BFI000 E | S29PL127J60BFI000 E SPANSION BGA | S29PL127J60BFI000 E.pdf | |
![]() | B9806 | B9806 EPCOS SMD or Through Hole | B9806.pdf | |
![]() | ELD-408SDREB | ELD-408SDREB SHARP DIP16 | ELD-408SDREB.pdf | |
![]() | ST100145-501 | ST100145-501 ORIGINAL QFP | ST100145-501.pdf |