Infineon Technologies IRF1018ESLPBF

IRF1018ESLPBF
제조업체 부품 번호
IRF1018ESLPBF
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 60V 79A TO-262
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내부 부품 번호EIS-IRF1018ESLPBF
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서IRF1018E (S,SL) PBF
제품 교육 모듈High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
주요제품Automatic Opening Systems
PCN 단종/ EOLMult Device EOL 11/May/2016
Mult Dev EOL 15/May/2016
PCN 설계/사양Copper Plating Update 31/Aug/2015
PCN 조립/원산지Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
PCN 포장Package Drawing Update 19/Aug/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열HEXFET®
포장튜브
부품 현황생산 종료
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C79A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs8.4m옴 @ 47A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 100µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs69nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds2290pF @ 50V
전력 - 최대110W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA
공급 장치 패키지TO-262
표준 포장 50
다른 이름SP001550908
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)IRF1018ESLPBF
관련 링크IRF1018, IRF1018ESLPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통
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