창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF1018EPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF1018E (S,SL) PBF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| 주요제품 | Automatic Opening Systems | |
| PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 Qualification Wafer Source 01/Apr/2014 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1513 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 79A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.4m옴 @ 47A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 100µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 69nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2290pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 110W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | SP001574502 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF1018EPBF | |
| 관련 링크 | IRF101, IRF1018EPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
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![]() | CRCW08051K30FKEAHP | RES SMD 1.3K OHM 1% 1/2W 0805 | CRCW08051K30FKEAHP.pdf | |
![]() | MRS16000C6041FCT00 | RES 6.04K OHM 0.4W 1% AXIAL | MRS16000C6041FCT00.pdf | |
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![]() | LMSP54AA-079 | LMSP54AA-079 MURATA SMD | LMSP54AA-079.pdf | |
![]() | RJP60D0DPK | RJP60D0DPK RENESAS/HITACHI TO-3P | RJP60D0DPK.pdf | |
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![]() | LMBZ5226BT1G | LMBZ5226BT1G LRC SOD123 | LMBZ5226BT1G.pdf | |
![]() | M5M51008CFP-70HI | M5M51008CFP-70HI ORIGINAL SOP32 | M5M51008CFP-70HI.pdf | |
![]() | GS2911Y30F | GS2911Y30F Globaltech SOT89-3 | GS2911Y30F.pdf | |
![]() | CXA1364 | CXA1364 ORIGINAL SMD or Through Hole | CXA1364.pdf | |
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