창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRF1010EZPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF1010EZ (S,L) PbF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| 설계 리소스 | IRF1010EZ Saber Model IRF1010EZ Spice Model | |
| 주요제품 | Automatic Opening Systems | |
| PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1513 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 75A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.5m옴 @ 51A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 100µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 86nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2810pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 140W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | *IRF1010EZPBF SP001571244 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRF1010EZPBF | |
| 관련 링크 | IRF1010, IRF1010EZPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | 833H-1A-C-12VDC | 833H-1A-C-12VDC ORIGINAL SMD or Through Hole | 833H-1A-C-12VDC.pdf | |
![]() | PQ2TZ | PQ2TZ SHARP TO-252 | PQ2TZ.pdf | |
![]() | A1140LUA-T | A1140LUA-T ALLEGRO SMD or Through Hole | A1140LUA-T.pdf | |
![]() | HN4B102 | HN4B102 TOSHIBA SMV | HN4B102.pdf | |
![]() | SK035M0047A5F-0511 | SK035M0047A5F-0511 YAGEO Call | SK035M0047A5F-0511.pdf | |
![]() | 46J7E | 46J7E CET TO-220 | 46J7E.pdf | |
![]() | LMC7111BIM5X NOPB | LMC7111BIM5X NOPB NS SOT153 | LMC7111BIM5X NOPB.pdf | |
![]() | HD6435348CP | HD6435348CP RENESAS PLCC | HD6435348CP.pdf | |
![]() | GL064M11FAIR4 | GL064M11FAIR4 ORIGINAL BGA | GL064M11FAIR4.pdf | |
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![]() | HRS2H-DC12V | HRS2H-DC12V HKE DIP-SOP | HRS2H-DC12V.pdf |