창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRF1010EPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF1010EPbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRF1010EPBF Saber Model IRF1010EPBF Spice Model | |
PCN 조립/원산지 | Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 84A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 12m옴 @ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 130nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3210pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 200W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRF1010EPBF SP001569818 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRF1010EPBF | |
관련 링크 | IRF101, IRF1010EPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | SIT1602BC-12-25E-25.000625E | OSC XO 2.5V 25.000625MHZ OE | SIT1602BC-12-25E-25.000625E.pdf | |
![]() | 940904050 | 940904050 AD SMD or Through Hole | 940904050.pdf | |
![]() | 94237AF | 94237AF ICS SOP | 94237AF.pdf | |
![]() | ESAH72-06D | ESAH72-06D FUJI SMD or Through Hole | ESAH72-06D.pdf | |
![]() | V385G | V385G ICS SSOP | V385G.pdf | |
![]() | ISC428964CDW | ISC428964CDW MOT SMD-16 | ISC428964CDW.pdf | |
![]() | CTMC1812-561J | CTMC1812-561J ORIGINAL 4532-561J | CTMC1812-561J.pdf | |
![]() | 2N2887 | 2N2887 ORIGINAL SMD or Through Hole | 2N2887.pdf | |
![]() | BUPD1520 | BUPD1520 INFINEON TO- | BUPD1520.pdf | |
![]() | 24A16T-I/OT P/B | 24A16T-I/OT P/B MICRCCHIP SMD | 24A16T-I/OT P/B.pdf | |
![]() | IH6116CJI(AD7506KD) | IH6116CJI(AD7506KD) INTERSIL CDIP28 | IH6116CJI(AD7506KD).pdf |