창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPZ65R095C7XKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPZ65R095C7 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ C7 | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 24A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 95m옴 @ 11.8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 590µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 45nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2140pF @ 400V | |
| 전력 - 최대 | 128W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-4 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO247-4 | |
| 표준 포장 | 240 | |
| 다른 이름 | SP001080130 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPZ65R095C7XKSA1 | |
| 관련 링크 | IPZ65R095, IPZ65R095C7XKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | 416F37425IKR | 37.4MHz ±20ppm 수정 8pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F37425IKR.pdf | |
![]() | BLM18EG181SH1D | 180 Ohm Impedance Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) Surface Mount 2A 1 Lines 50 mOhm Max DCR -55°C ~ 125°C | BLM18EG181SH1D.pdf | |
![]() | RBD-50V010ME3 | RBD-50V010ME3 ELNA DIP | RBD-50V010ME3.pdf | |
![]() | W3743ZC500 | W3743ZC500 WESTCODE SMD or Through Hole | W3743ZC500.pdf | |
![]() | ST72F324J4TC | ST72F324J4TC ST QFP44 | ST72F324J4TC.pdf | |
![]() | V350ME01 | V350ME01 ZCOMM SMD or Through Hole | V350ME01.pdf | |
![]() | ESY476M063AG3AA | ESY476M063AG3AA ARCOTRNIC DIP | ESY476M063AG3AA.pdf | |
![]() | M5M511666C-60TS | M5M511666C-60TS ORIGINAL SOP | M5M511666C-60TS.pdf | |
![]() | 5032 8.192MHZ | 5032 8.192MHZ KDS SMD or Through Hole | 5032 8.192MHZ.pdf | |
![]() | RF811 | RF811 RF SMD or Through Hole | RF811.pdf | |
![]() | SC801IMLTR. | SC801IMLTR. SEMTECH QFN | SC801IMLTR..pdf |