창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPZ65R019C7XKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPZ65R019C7 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ C7 | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 75A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 19m옴 @ 58.3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 2.92mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 215nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9900pF @ 400V | |
| 전력 - 최대 | 446W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-4 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO247-4 | |
| 표준 포장 | 240 | |
| 다른 이름 | SP001024002 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPZ65R019C7XKSA1 | |
| 관련 링크 | IPZ65R019, IPZ65R019C7XKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | CGA4J1X7S1C685K125AC | 6.8µF 16V 세라믹 커패시터 X7S 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CGA4J1X7S1C685K125AC.pdf | |
![]() | 128251-001 | 128251-001 INTEL PLCC | 128251-001.pdf | |
![]() | PCA82C251T3 | PCA82C251T3 NXP SOP-8 | PCA82C251T3.pdf | |
![]() | 103328-000 | 103328-000 PHI SIP3 | 103328-000.pdf | |
![]() | V1000-M | V1000-M V QFP | V1000-M.pdf | |
![]() | M25P080-VMW6TG | M25P080-VMW6TG ST SOP | M25P080-VMW6TG.pdf | |
![]() | SDC1768512 | SDC1768512 ADI SMD or Through Hole | SDC1768512.pdf | |
![]() | 6.3V1000 10X10 | 6.3V1000 10X10 CHANG SMD or Through Hole | 6.3V1000 10X10.pdf | |
![]() | HW1B-M101G | HW1B-M101G IDECCORPORATION SMD or Through Hole | HW1B-M101G.pdf | |
![]() | 54H50DMQB/QS | 54H50DMQB/QS NS DIP | 54H50DMQB/QS.pdf | |
![]() | TLP3063 (S) | TLP3063 (S) TOSHIBA SMD or Through Hole | TLP3063 (S).pdf | |
![]() | 75H4717PQ | 75H4717PQ CISCOSYS BGA | 75H4717PQ.pdf |