창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPZ60R041P6FKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPZ60R041P6 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ P6 | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 77.5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 41m옴 @ 35.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 2.96mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 170nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8180pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 481W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-4 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO247-4 | |
| 표준 포장 | 240 | |
| 다른 이름 | SP001313878 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPZ60R041P6FKSA1 | |
| 관련 링크 | IPZ60R041, IPZ60R041P6FKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | P6SMB30 | TVS DIODE 25.6VWM 43.47VC SMD | P6SMB30.pdf | |
![]() | BAS116V-7 | DIODE ARRAY GP 85V 215MA SOT563 | BAS116V-7.pdf | |
![]() | ERA-3AEB2262V | RES SMD 22.6KOHM 0.1% 1/10W 0603 | ERA-3AEB2262V.pdf | |
![]() | YC158TJR-0710RL | RES ARRAY 8 RES 10 OHM 1206 | YC158TJR-0710RL.pdf | |
![]() | 47UF6.3V/A | 47UF6.3V/A AVX SMD or Through Hole | 47UF6.3V/A.pdf | |
![]() | IS42S16400C1-7TLA | IS42S16400C1-7TLA ISSI TSOP54 | IS42S16400C1-7TLA.pdf | |
![]() | SMLE13WBC8PW11R | SMLE13WBC8PW11R ROHM SMD or Through Hole | SMLE13WBC8PW11R.pdf | |
![]() | TCD2552D | TCD2552D TOSHIBA CDIP22 | TCD2552D.pdf | |
![]() | FSAM10CH60C | FSAM10CH60C FSC SMD or Through Hole | FSAM10CH60C.pdf | |
![]() | D45288C | D45288C NEC DIP | D45288C.pdf | |
![]() | B43560A4278M003 | B43560A4278M003 EPCOS DIP-2 | B43560A4278M003.pdf | |
![]() | MDA1500A1800V | MDA1500A1800V SanRexPak SMD or Through Hole | MDA1500A1800V.pdf |