창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPW90R1K2C3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPW90R1K2C3 | |
| 제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
| 카탈로그 페이지 | 1611 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 900V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.1A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.2옴 @ 2.8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 310µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 28nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 710pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 83W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO247-3 | |
| 표준 포장 | 240 | |
| 다른 이름 | IPW90R1K2C3FKSA1 SP000413754 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPW90R1K2C3 | |
| 관련 링크 | IPW90R, IPW90R1K2C3 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | VJ1206A390JXACW1BC | 39pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | VJ1206A390JXACW1BC.pdf | |
![]() | KTR10EZPF2004 | RES SMD 2M OHM 1% 1/8W 0805 | KTR10EZPF2004.pdf | |
![]() | RT0603WRC07147RL | RES SMD 147 OHM 0.05% 1/10W 0603 | RT0603WRC07147RL.pdf | |
![]() | CP000556R00JE14 | RES 56 OHM 5W 5% AXIAL | CP000556R00JE14.pdf | |
![]() | NTE5986 | NTE5986 NTE SMD or Through Hole | NTE5986.pdf | |
![]() | PQ8020/G | PQ8020/G SEEQ DIP | PQ8020/G.pdf | |
![]() | X9514WSI | X9514WSI XICOR SO8 | X9514WSI.pdf | |
![]() | MSP55LV650M-E1-G | MSP55LV650M-E1-G FUJ SOP-44 | MSP55LV650M-E1-G.pdf | |
![]() | G6K-2G-DC24 | G6K-2G-DC24 ORIGINAL SMD or Through Hole | G6K-2G-DC24.pdf | |
![]() | D6102DBG | D6102DBG M-TEK DIP6 | D6102DBG.pdf | |
![]() | SBX8020A-F | SBX8020A-F ROHM SMD or Through Hole | SBX8020A-F.pdf |