창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPW65R660CFDFKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx65R660CFD | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 700V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 660m옴 @ 2.1A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 200µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 22nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 615pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 62.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO247-3 | |
| 표준 포장 | 240 | |
| 다른 이름 | IPW65R660CFD IPW65R660CFD-ND SP000861700 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPW65R660CFDFKSA1 | |
| 관련 링크 | IPW65R660C, IPW65R660CFDFKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | FXO-PC738-250 | 250MHz LVPECL XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 120mA Enable/Disable | FXO-PC738-250.pdf | |
![]() | CRCW1206619KFKEAHP | RES SMD 619K OHM 1% 1/2W 1206 | CRCW1206619KFKEAHP.pdf | |
![]() | CP00072R200JE66 | RES 2.2 OHM 7W 5% AXIAL | CP00072R200JE66.pdf | |
![]() | E3ZM-CL67H | SENSOR PHOTOELECTRIC 10-150MM M8 | E3ZM-CL67H.pdf | |
![]() | 38733-6408 | 38733-6408 ORIGINAL NEW | 38733-6408.pdf | |
![]() | D2822AA | D2822AA ORIGINAL DIP | D2822AA.pdf | |
![]() | M5M5256BVP-70L | M5M5256BVP-70L MIT TSOP-28 | M5M5256BVP-70L.pdf | |
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![]() | PHE841ER7220MR06L2 | PHE841ER7220MR06L2 KEMET SMD or Through Hole | PHE841ER7220MR06L2.pdf | |
![]() | PT65B(O/P5.1V) | PT65B(O/P5.1V) MEANWELL SMD or Through Hole | PT65B(O/P5.1V).pdf | |
![]() | ESR10EZPD10R0 | ESR10EZPD10R0 ROHM SMD or Through Hole | ESR10EZPD10R0.pdf | |
![]() | S-875039BUP-ABDT2G | S-875039BUP-ABDT2G SEK SOT26SOT363 | S-875039BUP-ABDT2G.pdf |