창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPW65R280C6FKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx65R280C6 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13.8A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 280m옴 @ 4.4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 440µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 45nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 950pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 104W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO247-3 | |
표준 포장 | 240 | |
다른 이름 | IPW65R280C6 IPW65R280C6-ND SP000785060 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPW65R280C6FKSA1 | |
관련 링크 | IPW65R280, IPW65R280C6FKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 402F27112IDR | 27.12MHz ±10ppm 수정 18pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F27112IDR.pdf | |
![]() | RT0603FRE0757R6L | RES SMD 57.6 OHM 1% 1/10W 0603 | RT0603FRE0757R6L.pdf | |
![]() | EXB-28V304JX | RES ARRAY 4 RES 300K OHM 0804 | EXB-28V304JX.pdf | |
![]() | CMF5040K000BHBF | RES 40K OHM 1/4W 0.1% AXIAL | CMF5040K000BHBF.pdf | |
![]() | BD5323G-TR | BD5323G-TR ROHM SSOP5 | BD5323G-TR.pdf | |
![]() | SOC2450 | SOC2450 MOT DIP-6 | SOC2450.pdf | |
![]() | 672M-02 | 672M-02 ICS SOIC-16 | 672M-02.pdf | |
![]() | MN102H57KZA | MN102H57KZA panasonic TQFP | MN102H57KZA.pdf | |
![]() | SMA0204502741%A2 | SMA0204502741%A2 DRALORIC SMD or Through Hole | SMA0204502741%A2.pdf | |
![]() | TA8233H | TA8233H TOS DIP | TA8233H.pdf | |
![]() | MCP6V26T-E/MNY | MCP6V26T-E/MNY ORIGINAL SMD or Through Hole | MCP6V26T-E/MNY.pdf |