창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPW65R190E6FKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx65R190E6 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20.2A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 190m옴 @ 7.3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 730µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 73nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1620pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 151W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO247-3 | |
표준 포장 | 240 | |
다른 이름 | IPW65R190E6 IPW65R190E6-ND SP000863906 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPW65R190E6FKSA1 | |
관련 링크 | IPW65R190, IPW65R190E6FKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
ECS-120-18-5P-TR | 12MHz ±30ppm 수정 18pF 50옴 -10°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | ECS-120-18-5P-TR.pdf | ||
RG1005N-5902-B-T5 | RES SMD 59K OHM 0.1% 1/16W 0402 | RG1005N-5902-B-T5.pdf | ||
RG2012V-8061-W-T5 | RES SMD 8.06KOHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012V-8061-W-T5.pdf | ||
EL1508CL TEL:82766440 | EL1508CL TEL:82766440 ELANTEC SMD or Through Hole | EL1508CL TEL:82766440.pdf | ||
54F10M/B2CJC883 | 54F10M/B2CJC883 N/A LCC | 54F10M/B2CJC883.pdf | ||
HT9112 | HT9112 ORIGINAL DIP | HT9112.pdf | ||
SIR440DP-TI-GE3 | SIR440DP-TI-GE3 VISHAY QFN8 | SIR440DP-TI-GE3.pdf | ||
TLSE16TP(T) | TLSE16TP(T) TOSHIBA ROHS | TLSE16TP(T).pdf | ||
HD643532F60F | HD643532F60F ORIGINAL SMD or Through Hole | HD643532F60F.pdf | ||
TB7101AF(T5L3.3,F) | TB7101AF(T5L3.3,F) TOSHIBA PS-8 | TB7101AF(T5L3.3,F).pdf | ||
COP8SGR740Q | COP8SGR740Q NSC CDIP | COP8SGR740Q.pdf |