창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPW65R080CFD | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPW65R080CFD | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 700V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 43.3A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 80m옴 @ 17.6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 1.76mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 170nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5030pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 391W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO247-3 | |
표준 포장 | 240 | |
다른 이름 | IPW65R080CFDFKSA1 SP000745036 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPW65R080CFD | |
관련 링크 | IPW65R0, IPW65R080CFD 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
RDE5C2A331J0K1H03B | 330pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | RDE5C2A331J0K1H03B.pdf | ||
SIT1602BC-23-33E-25.000000G | 25MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 3.3V 4.5mA Enable/Disable | SIT1602BC-23-33E-25.000000G.pdf | ||
CNR14D180L | CNR14D180L CNR() SMD or Through Hole | CNR14D180L.pdf | ||
HD32108P | HD32108P HIT DIP | HD32108P.pdf | ||
Q4H157003K00DE3 | Q4H157003K00DE3 VISHAY DIP | Q4H157003K00DE3.pdf | ||
DSC | DSC HP SMD or Through Hole | DSC.pdf | ||
P87C52UBAAF | P87C52UBAAF ORIGINAL SMD or Through Hole | P87C52UBAAF.pdf | ||
146835-1 | 146835-1 AMP SMD or Through Hole | 146835-1.pdf | ||
HU42E122MRZ | HU42E122MRZ HIT-AIC SMD or Through Hole | HU42E122MRZ.pdf | ||
L9306 | L9306 ST SMD or Through Hole | L9306.pdf | ||
LQM31PN1R5MC0B | LQM31PN1R5MC0B murata SMD | LQM31PN1R5MC0B.pdf | ||
W623AB77 | W623AB77 N/A QFP | W623AB77.pdf |