창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPW65R045C7FKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPW65R045C7 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ C7 | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 46A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 45m옴 @ 24.9A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1.25mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 93nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4340pF @ 400V | |
전력 - 최대 | 227W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247-3 | |
표준 포장 | 240 | |
다른 이름 | SP000929412 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPW65R045C7FKSA1 | |
관련 링크 | IPW65R045, IPW65R045C7FKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 9B-50.000MEEJ-B | 50MHz ±10ppm 수정 18pF 60옴 -20°C ~ 70°C 스루홀 HC49/US | 9B-50.000MEEJ-B.pdf | |
![]() | HS50 24R J | RES CHAS MNT 24 OHM 5% 50W | HS50 24R J.pdf | |
![]() | ERJ-S12F1272U | RES SMD 12.7K OHM 1% 3/4W 1812 | ERJ-S12F1272U.pdf | |
![]() | ME2801B415P | ME2801B415P ME SMD or Through Hole | ME2801B415P.pdf | |
![]() | OSE1L7 | OSE1L7 ORIGINAL DIP | OSE1L7.pdf | |
![]() | ADM6315-31D1ARTZ | ADM6315-31D1ARTZ AD SOT-143 | ADM6315-31D1ARTZ.pdf | |
![]() | BSTP45100 | BSTP45100 SIEMENS SMD or Through Hole | BSTP45100.pdf | |
![]() | 267E2002155KR | 267E2002155KR MATSUO SMD | 267E2002155KR.pdf | |
![]() | PA834TF | PA834TF Nec SOT-363 | PA834TF.pdf | |
![]() | PIC16C72A-20/SS | PIC16C72A-20/SS MICRO SSOP | PIC16C72A-20/SS.pdf | |
![]() | 6DI50C-120 | 6DI50C-120 ORIGINAL GTR | 6DI50C-120.pdf | |
![]() | RP105N080B-TR-F | RP105N080B-TR-F RICOH SOT23-5 | RP105N080B-TR-F.pdf |