창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPW65R045C7FKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPW65R045C7 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ C7 | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 46A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 45m옴 @ 24.9A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1.25mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 93nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4340pF @ 400V | |
| 전력 - 최대 | 227W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247-3 | |
| 표준 포장 | 240 | |
| 다른 이름 | SP000929412 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPW65R045C7FKSA1 | |
| 관련 링크 | IPW65R045, IPW65R045C7FKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | GRM1555C1E110JA01D | 11pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1555C1E110JA01D.pdf | |
![]() | SIT3807AC-C-33SE | 1.544MHz ~ 49.152MHz LVCMOS, LVTTL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 3.3V 33mA Standby | SIT3807AC-C-33SE.pdf | |
![]() | RSF2GBR110 | RES MO 2W 0.11 OHM 2% AXIAL | RSF2GBR110.pdf | |
![]() | F871RO685M330C | F871RO685M330C KEMET SMD or Through Hole | F871RO685M330C.pdf | |
![]() | RS10002-E | RS10002-E PAN SSOP | RS10002-E.pdf | |
![]() | M95128-WDW3TP/P | M95128-WDW3TP/P STM TSSOP-8 | M95128-WDW3TP/P.pdf | |
![]() | TEESVB1E475M8R | TEESVB1E475M8R NEC SMD or Through Hole | TEESVB1E475M8R.pdf | |
![]() | 923720 | 923720 M SMD or Through Hole | 923720.pdf | |
![]() | CY7C199-25V | CY7C199-25V ORIGINAL CYPRESS | CY7C199-25V.pdf | |
![]() | 164-8445 | 164-8445 ORIGINAL SMD or Through Hole | 164-8445.pdf | |
![]() | CG6135AT | CG6135AT CYP Call | CG6135AT.pdf | |
![]() | UPD780826BGC-305 | UPD780826BGC-305 NEC QFP80 | UPD780826BGC-305.pdf |