창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPW65R019C7FKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPW65R019C7 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ C7 | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 75A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 19m옴 @ 58.3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 2.92mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 215nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9900pF @ 400V | |
전력 - 최대 | 446W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO247-3 | |
표준 포장 | 240 | |
다른 이름 | SP000928646 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPW65R019C7FKSA1 | |
관련 링크 | IPW65R019, IPW65R019C7FKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
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![]() | RCE5C1H150J0DBH03A | 15pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.142" L x 0.098" W(3.60mm x 2.50mm) | RCE5C1H150J0DBH03A.pdf | |
![]() | VY1471M31Y5UG6UV0 | 470pF 760VAC 세라믹 커패시터 Y5U(E) 방사형, 디스크 0.315" Dia(8.00mm) | VY1471M31Y5UG6UV0.pdf | |
![]() | GQM1555C2D4R3BB01D | 4.3pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GQM1555C2D4R3BB01D.pdf | |
![]() | NFA21SL806X1A48L | LC EMI Filter 2nd Order Low Pass 4 Channel 20mA 0805 (2012 Metric), Array, 10 PC Pad | NFA21SL806X1A48L.pdf | |
![]() | AS6122H | AS6122H ASIC SMD | AS6122H.pdf | |
![]() | STM32F106BRT6 | STM32F106BRT6 STM SMD or Through Hole | STM32F106BRT6.pdf | |
![]() | WM8761ED/R | WM8761ED/R WM SOP14 | WM8761ED/R.pdf | |
![]() | LA1S109 LF | LA1S109 LF BOTHHAND SOPDIP | LA1S109 LF.pdf | |
![]() | SMAJP4KE10CATR-13 | SMAJP4KE10CATR-13 Microsemi 2011PB | SMAJP4KE10CATR-13.pdf | |
![]() | MCP23S17ESS | MCP23S17ESS MICROCHIP SMD or Through Hole | MCP23S17ESS.pdf | |
![]() | TXV1N3307 | TXV1N3307 Microsemi SMD or Through Hole | TXV1N3307.pdf |