창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPW60R280E6 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx60R280E6 | |
제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13.8A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 280m옴 @ 6.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 430µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 43nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 950pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 104W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO247-3 | |
표준 포장 | 240 | |
다른 이름 | IPW60R280E6FKSA1 SP000797382 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPW60R280E6 | |
관련 링크 | IPW60R, IPW60R280E6 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | ESMG250ELL222MK25S | 2200µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C | ESMG250ELL222MK25S.pdf | |
![]() | C0603X5R1E681K030BA | 680pF 25V 세라믹 커패시터 X5R 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | C0603X5R1E681K030BA.pdf | |
![]() | GJM1555C1H8R0WB01D | 8pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GJM1555C1H8R0WB01D.pdf | |
![]() | 1210B393J500CT | 1210B393J500CT ORIGINAL SMD or Through Hole | 1210B393J500CT.pdf | |
![]() | 4041C | 4041C TI SOP | 4041C.pdf | |
![]() | AR-112DB1 | AR-112DB1 GOODSKY DIP-SOP | AR-112DB1.pdf | |
![]() | MAX4378TAUD | MAX4378TAUD MAXIM TSSOP14 | MAX4378TAUD.pdf | |
![]() | DS1100Z-20/TR | DS1100Z-20/TR DALLAS SMD or Through Hole | DS1100Z-20/TR.pdf | |
![]() | LTV356T-TP1-B | LTV356T-TP1-B LITEON SMD or Through Hole | LTV356T-TP1-B.pdf | |
![]() | TL431BIDBZZR | TL431BIDBZZR TI SOT-23-3 | TL431BIDBZZR.pdf | |
![]() | TX-429 | TX-429 SONY DIP | TX-429.pdf | |
![]() | 4DG | 4DG N/A SC70-6 | 4DG.pdf |