창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPW60R190P6 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPW60R190P6 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ P6 | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20.2A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 190m옴 @ 7.6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 630µ | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1750pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 151W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO247-3 | |
표준 포장 | 240 | |
다른 이름 | IPW60R190P6FKSA1 SP001017090 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPW60R190P6 | |
관련 링크 | IPW60R, IPW60R190P6 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | CMR05F361GPDM | CMR MICA | CMR05F361GPDM.pdf | |
![]() | RT0402FRD073K57L | RES SMD 3.57K OHM 1% 1/16W 0402 | RT0402FRD073K57L.pdf | |
![]() | Y14880R05000F0W | RES SMD 0.05 OHM 1% 2W 3637 | Y14880R05000F0W.pdf | |
![]() | TNPW201084K5BETF | RES SMD 84.5K OHM 0.1% 0.4W 2010 | TNPW201084K5BETF.pdf | |
![]() | TPS65800 | TPS65800 TI QFN | TPS65800.pdf | |
![]() | 74454115 | 74454115 WE SMD | 74454115.pdf | |
![]() | ICS2684M | ICS2684M ICS SOP | ICS2684M.pdf | |
![]() | LH0076G883 | LH0076G883 NSC SMD or Through Hole | LH0076G883.pdf | |
![]() | N700700CFFB00 | N700700CFFB00 PHI SOP20 | N700700CFFB00.pdf | |
![]() | 2422025044852+ | 2422025044852+ BURNDY NA | 2422025044852+.pdf | |
![]() | IT8203R/CX(R) | IT8203R/CX(R) ITE QSOP-28 | IT8203R/CX(R).pdf | |
![]() | K6F2008E-YF70 | K6F2008E-YF70 SAMSUNG TSOP | K6F2008E-YF70.pdf |