창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPW60R190E6 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx60R190E6 | |
제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20.2A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 190m옴 @ 9.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 630µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 63nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1400pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 151W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO247-3 | |
표준 포장 | 240 | |
다른 이름 | IPW60R190E6FKSA1 SP000797384 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPW60R190E6 | |
관련 링크 | IPW60R, IPW60R190E6 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 416F40035CDT | 40MHz ±30ppm 수정 18pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F40035CDT.pdf | |
![]() | LQG21NR39K04T1M00-01 | LQG21NR39K04T1M00-01 MURATA SMD or Through Hole | LQG21NR39K04T1M00-01.pdf | |
![]() | 270-6504-001-REV-01 | 270-6504-001-REV-01 ORIGINAL BGA | 270-6504-001-REV-01.pdf | |
![]() | M30621MCP-A36GP | M30621MCP-A36GP TOSHIBA QFP | M30621MCP-A36GP.pdf | |
![]() | HSM160G-E3 | HSM160G-E3 MSC SMD or Through Hole | HSM160G-E3.pdf | |
![]() | 1T405A | 1T405A SONY SOT423 | 1T405A.pdf | |
![]() | 29RS621 | 29RS621 TAIWAN QFP80 | 29RS621.pdf | |
![]() | 3R470L-8 | 3R470L-8 BrightKing DIP-3 | 3R470L-8.pdf | |
![]() | UPC2798GRE1 | UPC2798GRE1 NEC SMD or Through Hole | UPC2798GRE1.pdf | |
![]() | LK1aF-6V | LK1aF-6V ORIGINAL SMD or Through Hole | LK1aF-6V.pdf | |
![]() | HCNW-3130 | HCNW-3130 Agilent SOP8 | HCNW-3130.pdf | |
![]() | MP9245 | MP9245 EXAR SMD | MP9245.pdf |