창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPW60R190C6 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx60R190C6 | |
| 제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
| 카탈로그 페이지 | 1610 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20.2A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 190m옴 @ 9.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 630µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 63nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1400pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 151W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO247-3 | |
| 표준 포장 | 240 | |
| 다른 이름 | IPW60R190C6FKSA1 SP000621160 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPW60R190C6 | |
| 관련 링크 | IPW60R, IPW60R190C6 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | 6.3YXJ100MT15X11 | 100µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can 4000 Hrs @ 105°C | 6.3YXJ100MT15X11.pdf | |
![]() | 0402YA331KAT2A | 330pF 16V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | 0402YA331KAT2A.pdf | |
![]() | XQEAPA-00-0000-000000801 | LED Lighting Color XLamp® XQ-E Amber 0606 (1616 Metric) | XQEAPA-00-0000-000000801.pdf | |
![]() | RG2012P-163-W-T5 | RES SMD 16K OHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012P-163-W-T5.pdf | |
![]() | CMF502K1500FKEB | RES 2.15K OHM 1/4W 1% AXIAL | CMF502K1500FKEB.pdf | |
![]() | H30622SAFP | H30622SAFP NA QFP | H30622SAFP.pdf | |
![]() | L6569A DIP8 XPB | L6569A DIP8 XPB ST SMD or Through Hole | L6569A DIP8 XPB.pdf | |
![]() | RCMX053M921%K3 | RCMX053M921%K3 VISHAYSFERNICE SMD or Through Hole | RCMX053M921%K3.pdf | |
![]() | SMBJ5347BTR-T | SMBJ5347BTR-T Microsemi DO-214A | SMBJ5347BTR-T.pdf | |
![]() | 10YXF221M | 10YXF221M RUBYCO SMD or Through Hole | 10YXF221M.pdf |