창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPW60R160C6 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx60R160C6 | |
| 제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 23.8A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 160m옴 @ 11.3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 750µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 75nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1660pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 176W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO247-3 | |
| 표준 포장 | 240 | |
| 다른 이름 | IPW60R160C6FKSA1 SP000652798 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPW60R160C6 | |
| 관련 링크 | IPW60R, IPW60R160C6 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | 416F32013ATR | 32MHz ±10ppm 수정 6pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F32013ATR.pdf | |
![]() | BAS28,215 | DIODE ARRAY GP 75V 215MA SOT143B | BAS28,215.pdf | |
![]() | BYM12-50HE3/96 | DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB | BYM12-50HE3/96.pdf | |
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![]() | G6S-2F-TR-DC48 | Telecom Relay DPDT (2 Form C) Surface Mount | G6S-2F-TR-DC48.pdf | |
![]() | PAT0805E2520BST1 | RES SMD 252 OHM 0.1% 1/5W 0805 | PAT0805E2520BST1.pdf | |
![]() | FR-D720-0.2K | FR-D720-0.2K MITSUBISHIELECTRICCORPORATION SMD or Through Hole | FR-D720-0.2K.pdf | |
![]() | AD603ARZG4-REEL7 | AD603ARZG4-REEL7 AD Original | AD603ARZG4-REEL7.pdf | |
![]() | MB89061PF-G-133-BN | MB89061PF-G-133-BN FUJ QFP | MB89061PF-G-133-BN.pdf | |
![]() | CR1/16-122JV-SN | CR1/16-122JV-SN HOKURIKU SMD or Through Hole | CR1/16-122JV-SN.pdf | |
![]() | RM2-L2-12V | RM2-L2-12V NAIS SMD or Through Hole | RM2-L2-12V.pdf |