창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPW60R160C6 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx60R160C6 | |
| 제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 23.8A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 160m옴 @ 11.3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 750µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 75nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1660pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 176W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO247-3 | |
| 표준 포장 | 240 | |
| 다른 이름 | IPW60R160C6FKSA1 SP000652798 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPW60R160C6 | |
| 관련 링크 | IPW60R, IPW60R160C6 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | 39911250000 | FUSE BOARD MNT 1.25A 65VAC/VDC | 39911250000.pdf | |
![]() | RT0603FRE077R5L | RES SMD 7.5 OHM 1% 1/10W 0603 | RT0603FRE077R5L.pdf | |
![]() | SiI1169CTUVJ | SiI1169CTUVJ SiIicon QFP | SiI1169CTUVJ.pdf | |
![]() | WM3236AQ | WM3236AQ ORIGINAL SMD | WM3236AQ.pdf | |
![]() | ICM7218BIJ | ICM7218BIJ INTERSIL DIP | ICM7218BIJ.pdf | |
![]() | SM8T-8-32.0M-50H1GG | SM8T-8-32.0M-50H1GG PLETRONICS SMD | SM8T-8-32.0M-50H1GG.pdf | |
![]() | RN1401(TE85R) | RN1401(TE85R) TOSHIBA SOT23 | RN1401(TE85R).pdf | |
![]() | FX429J(MX429) | FX429J(MX429) ORIGINAL DIP24P | FX429J(MX429).pdf | |
![]() | AME8845AEDT330Z-G-AME | AME8845AEDT330Z-G-AME ORIGINAL SMD or Through Hole | AME8845AEDT330Z-G-AME.pdf | |
![]() | SW14CXC805 | SW14CXC805 WESTCODE SMD or Through Hole | SW14CXC805.pdf | |
![]() | GBU08 | GBU08 HY SMD or Through Hole | GBU08.pdf | |
![]() | PT2240P-8 | PT2240P-8 PTC SMD or Through Hole | PT2240P-8.pdf |