창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPW60R125P6XKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPW60R125P6, IPP60R125P6, IPA60R125P6 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ P6 | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 125m옴 @ 11.6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 960µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 56nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2660pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 219W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO247-3 | |
| 표준 포장 | 240 | |
| 다른 이름 | SP001114656 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPW60R125P6XKSA1 | |
| 관련 링크 | IPW60R125, IPW60R125P6XKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | HK160847NJ-T | 47nH Unshielded Multilayer Inductor 300mA 700 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | HK160847NJ-T.pdf | |
![]() | SAFED1G84FB0F00RR | SAFED1G84FB0F00RR N/A SMD | SAFED1G84FB0F00RR.pdf | |
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![]() | UMZ-298-A16-G | UMZ-298-A16-G RFMD vco | UMZ-298-A16-G.pdf | |
![]() | A80486DX4-WB100 | A80486DX4-WB100 INTEL PGA | A80486DX4-WB100.pdf | |
![]() | DR2008 | DR2008 SG DIP-16 | DR2008.pdf | |
![]() | THGBM3G5D1FBAIEH2H | THGBM3G5D1FBAIEH2H TOSHIBADOLLARI SMD or Through Hole | THGBM3G5D1FBAIEH2H.pdf | |
![]() | HMC554E | HMC554E HITTITE SMD or Through Hole | HMC554E.pdf |