Infineon Technologies IPW60R125P6XKSA1

IPW60R125P6XKSA1
제조업체 부품 번호
IPW60R125P6XKSA1
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 600V TO247-3
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내부 부품 번호EIS-IPW60R125P6XKSA1
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서IPW60R125P6, IPP60R125P6, IPA60R125P6
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열CoolMOS™ P6
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)600V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C30A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs125m옴 @ 11.6A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4.5V @ 960µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs56nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds2660pF @ 100V
전력 - 최대219W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-247-3
공급 장치 패키지PG-TO247-3
표준 포장 240
다른 이름SP001114656
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)IPW60R125P6XKSA1
관련 링크IPW60R125, IPW60R125P6XKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통
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31.999kHz ±20ppm 수정 20pF 35k옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) MC-306 31.9990KA-G3: ROHS.pdf
DIODE ZENER 12V 5W SMBJ SMBJ5349CE3/TR13.pdf
RES 500M OHM 1W 1% RADIAL SM102035006FE.pdf
LTM4601IV#TRPBF LT BGA LTM4601IV#TRPBF.pdf
JANS1N4979US Microsemi SMD or Through Hole JANS1N4979US.pdf
1KZ350ELL471MJ16S(KZH ORIGINAL DIP 1KZ350ELL471MJ16S(KZH.pdf
6FAH77672081 ST SOP20 6FAH77672081.pdf
FM452 FAIRCHLD SOP5 FM452.pdf
S-817B15AMC-CWE-T2G ORIGINAL SOT S-817B15AMC-CWE-T2G.pdf
MCP4013T-103E-CH ST SMD or Through Hole MCP4013T-103E-CH.pdf
SCT2000CC-2 SINERCORE TSBGA SCT2000CC-2.pdf
S-80927ALMP-DAQT2G SEIKO SOT23-5 S-80927ALMP-DAQT2G.pdf