창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPW60R099CPAFKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPW60R099CPA | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Site Addition 10/Jun/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101, CoolMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 31A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 105m옴 @ 18A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 1.2mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 80nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2800pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 255W | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO247-3 | |
| 표준 포장 | 240 | |
| 다른 이름 | SP000597860 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPW60R099CPAFKSA1 | |
| 관련 링크 | IPW60R099C, IPW60R099CPAFKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
|  | 0805PC562KAT3A | 5600pF 250V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 0805PC562KAT3A.pdf | |
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|  | EN29LV040B-90 | EN29LV040B-90 EON PLCC | EN29LV040B-90.pdf | |
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|  | QYX2A103JTP1FD | QYX2A103JTP1FD NICHICON DIP | QYX2A103JTP1FD.pdf | |
|  | MG400Q1US51 | MG400Q1US51 ORIGINAL SMD or Through Hole | MG400Q1US51.pdf | |
|  | K9GAG08U0E-BCBOO | K9GAG08U0E-BCBOO SAMSUNG BGA | K9GAG08U0E-BCBOO.pdf | |
|  | TMS320DM640GDK | TMS320DM640GDK TI BGA | TMS320DM640GDK.pdf | |
|  | HD64F2134AVFA10 | HD64F2134AVFA10 RENESAS QFP | HD64F2134AVFA10.pdf |