창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPW60R099C7XKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPW60R099C7 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ C7 | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 99m옴 @ 9.7A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 490µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 42nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1819pF @ 400V | |
| 전력 - 최대 | 110W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO247-3 | |
| 표준 포장 | 240 | |
| 다른 이름 | SP001298004 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPW60R099C7XKSA1 | |
| 관련 링크 | IPW60R099, IPW60R099C7XKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | 501S42E1R5AV4E | 1.5pF 500V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | 501S42E1R5AV4E.pdf | |
![]() | CAT8900D204TBIT3 | CAT8900D204TBIT3 ON SOT-23 | CAT8900D204TBIT3.pdf | |
![]() | P20NM60D | P20NM60D ST TO-220 | P20NM60D.pdf | |
![]() | PSD913F2-90 | PSD913F2-90 WSI SMD or Through Hole | PSD913F2-90.pdf | |
![]() | M27C100-12F1 | M27C100-12F1 ST DIP | M27C100-12F1.pdf | |
![]() | 6190029-0 | 6190029-0 AMP/TYCO SMD or Through Hole | 6190029-0.pdf | |
![]() | HT150UYG-DT | HT150UYG-DT Harvatek SMD or Through Hole | HT150UYG-DT.pdf | |
![]() | AQ1054N3J-T | AQ1054N3J-T TAIYO SMD | AQ1054N3J-T.pdf | |
![]() | SNJ54HCT125J | SNJ54HCT125J TI CDIP | SNJ54HCT125J.pdf | |
![]() | 5962R8954203VGA | 5962R8954203VGA AD TO-99 | 5962R8954203VGA.pdf | |
![]() | HX8861-C10MFKG | HX8861-C10MFKG HIMAX TQFP | HX8861-C10MFKG.pdf | |
![]() | UMJ-674-D14-G | UMJ-674-D14-G RFMD vco | UMJ-674-D14-G.pdf |