창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPW60R099C6 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx60R099C6 | |
| 제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 37.9A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 99m옴 @ 18.1A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 1.21mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 119nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2660pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 278W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO247-3 | |
| 표준 포장 | 240 | |
| 다른 이름 | IPW60R099C6FKSA1 SP000641908 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPW60R099C6 | |
| 관련 링크 | IPW60R, IPW60R099C6 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | 0312.300HXCCP | FUSE GLASS 300MA 250VAC 3AB 3AG | 0312.300HXCCP.pdf | |
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![]() | AC16DGM | AC16DGM NEC/ SMD or Through Hole | AC16DGM.pdf | |
![]() | NC54T-470K-01 | NC54T-470K-01 ORIGINAL SMD or Through Hole | NC54T-470K-01.pdf | |
![]() | ULC2004ADR | ULC2004ADR TI SOP | ULC2004ADR.pdf | |
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![]() | 17-21SURC/S530-A2/ | 17-21SURC/S530-A2/ ORIGINAL SMD or Through Hole | 17-21SURC/S530-A2/.pdf | |
![]() | 20.014MHZ | 20.014MHZ ORIGINAL SMD or Through Hole | 20.014MHZ.pdf | |
![]() | SI3203-B-GQR | SI3203-B-GQR Siliconlabs SMD or Through Hole | SI3203-B-GQR.pdf | |
![]() | DG201ACJ. | DG201ACJ. DG DIP | DG201ACJ..pdf | |
![]() | SG1V226M05011PAA80 | SG1V226M05011PAA80 SAMWHA SMD or Through Hole | SG1V226M05011PAA80.pdf |