창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPW60R070C6 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPW60R070C6 | |
| 제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
| 카탈로그 페이지 | 1610 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 53A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 70m옴 @ 25.8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 1.72mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 170nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3800pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 391W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO247-3 | |
| 표준 포장 | 240 | |
| 다른 이름 | IPW60R070C6FKSA1 SP000645060 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPW60R070C6 | |
| 관련 링크 | IPW60R, IPW60R070C6 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | LF48410GM-B30 | LF48410GM-B30 NS DIP | LF48410GM-B30.pdf | |
![]() | 24PIN-1N | 24PIN-1N SAMSUNG DIP | 24PIN-1N.pdf | |
![]() | H734 | H734 N/A SMD or Through Hole | H734.pdf | |
![]() | 851917 | 851917 Triquint SMD or Through Hole | 851917.pdf | |
![]() | 1A1305-5R | 1A1305-5R XINGER SMD or Through Hole | 1A1305-5R.pdf | |
![]() | AL-GT-003 | AL-GT-003 ALONG SMD or Through Hole | AL-GT-003.pdf | |
![]() | IT8713F-S | IT8713F-S NVIDIA BGA | IT8713F-S.pdf | |
![]() | BZV55C75 75V | BZV55C75 75V ORIGINAL SMD or Through Hole | BZV55C75 75V.pdf | |
![]() | H152 | H152 SIPEX SOT23 | H152.pdf | |
![]() | SFDG64AQ102 | SFDG64AQ102 ORIGINAL REEL | SFDG64AQ102.pdf | |
![]() | 389FXCXC-120A | 389FXCXC-120A CON SMD or Through Hole | 389FXCXC-120A.pdf |