창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPU60R2K1CEBKMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPD60R2K1CE, IPU60R2K1CE | |
| PCN 설계/사양 | Assembly/MSL Chg 2/Oct/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ CE | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.3A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.1옴 @ 760mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 60µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6.7nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 140pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 22W | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO251-3 | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 다른 이름 | SP001276064 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPU60R2K1CEBKMA1 | |
| 관련 링크 | IPU60R2K1, IPU60R2K1CEBKMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | 445C25B20M00000 | 20MHz ±20ppm 수정 13pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445C25B20M00000.pdf | |
![]() | LM4040CIM3X-4.1/NOPB | LM4040CIM3X-4.1/NOPB NSC-NATIONALSEMI DIPSOP | LM4040CIM3X-4.1/NOPB.pdf | |
![]() | NCP612SQ28T2G | NCP612SQ28T2G ON SMD or Through Hole | NCP612SQ28T2G.pdf | |
![]() | NCV1117DTAT5G | NCV1117DTAT5G ON TO-252 | NCV1117DTAT5G.pdf | |
![]() | LH28F800SGN-L70 | LH28F800SGN-L70 SHAPR SOP | LH28F800SGN-L70.pdf | |
![]() | 57C43C-25TMB | 57C43C-25TMB WSI SMD or Through Hole | 57C43C-25TMB.pdf | |
![]() | 5804B236 | 5804B236 INTEL BGA | 5804B236.pdf | |
![]() | L2B0395(08-0107-02) | L2B0395(08-0107-02) LSI BGA | L2B0395(08-0107-02).pdf | |
![]() | 690TCN | 690TCN SP SOP | 690TCN.pdf | |
![]() | 1SMB2EZ150 | 1SMB2EZ150 TAYCHIPST SMD or Through Hole | 1SMB2EZ150.pdf | |
![]() | 5032,7050,M | 5032,7050,M KDS,EPSON SMD or Through Hole | 5032,7050,M.pdf | |
![]() | ZPY15 | ZPY15 SUNMATE DO-41 | ZPY15.pdf |