창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPU50R3K0CEAKMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPX50R3K0CE | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ CE | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.7A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3옴 @ 400mA, 13V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 30µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 4.3nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 84pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 18W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO251 | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 다른 이름 | SP001396836 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPU50R3K0CEAKMA1 | |
| 관련 링크 | IPU50R3K0, IPU50R3K0CEAKMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
|  | 31762-1 | AC/DC | 31762-1.pdf | |
|  | AOCTQ5-V-10.000MHZ-I3 | 10MHz CMOS OCXO Oscillator Through Hole 5V | AOCTQ5-V-10.000MHZ-I3.pdf | |
| -TDK.jpg) | MLF2012A3R9KT000 | 3.9µH Shielded Multilayer Inductor 30mA 650 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | MLF2012A3R9KT000.pdf | |
|  | KIA78R05PI-U/P | KIA78R05PI-U/P KEC TO-220F-4 | KIA78R05PI-U/P.pdf | |
|  | 05D | 05D MICREL DFN-8 | 05D.pdf | |
|  | IC-PST3327UR | IC-PST3327UR MITSUMI SOT343 | IC-PST3327UR.pdf | |
|  | FMA80N10T2 | FMA80N10T2 FUJI TO-220F | FMA80N10T2.pdf | |
|  | C1815CR | C1815CR TOS TO92 | C1815CR.pdf | |
|  | 1.5VKE43A | 1.5VKE43A GD SMD or Through Hole | 1.5VKE43A.pdf | |
|  | LE50ABD-TR(PB FREE) | LE50ABD-TR(PB FREE) STM SMD or Through Hole | LE50ABD-TR(PB FREE).pdf | |
|  | CXD4802GA-T4 | CXD4802GA-T4 SONY BGA | CXD4802GA-T4.pdf | |
|  | SN65HVD230QDG4 | SN65HVD230QDG4 TI SOIC-8 | SN65HVD230QDG4.pdf |