창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPU039N03LGXK | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IP(F,U)039N03L G | |
| 카탈로그 페이지 | 1613 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.9m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 51nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5300pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 94W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO251-3 | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 다른 이름 | IPU039N03L G IPU039N03LGIN IPU039N03LGIN-ND SP000256162 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPU039N03LGXK | |
| 관련 링크 | IPU039N, IPU039N03LGXK 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | TC122-JR-070RL | RES ARRAY 2 RES ZERO OHM 0404 | TC122-JR-070RL.pdf | |
![]() | 8945126584 | 8945126584 ORIGINAL SOP16 | 8945126584.pdf | |
![]() | VESD05A1B-02V | VESD05A1B-02V VISHAY SOD-523 | VESD05A1B-02V.pdf | |
![]() | DEC9026C | DEC9026C ORION QFP | DEC9026C.pdf | |
![]() | ATF91SAM7SE32-AU-001 | ATF91SAM7SE32-AU-001 ATMEL DIP | ATF91SAM7SE32-AU-001.pdf | |
![]() | JAE FI-S20S | JAE FI-S20S JAE SMD or Through Hole | JAE FI-S20S.pdf | |
![]() | QM8018 | QM8018 NA SMD or Through Hole | QM8018.pdf | |
![]() | BStH3766 | BStH3766 SIEMENS STUD | BStH3766.pdf | |
![]() | 53CAA-E28-D13L | 53CAA-E28-D13L bourns DIP | 53CAA-E28-D13L.pdf | |
![]() | LT1776CS8TRPBF | LT1776CS8TRPBF LTC SMD or Through Hole | LT1776CS8TRPBF.pdf |