창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPU039N03LGXK | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IP(F,U)039N03L G | |
카탈로그 페이지 | 1613 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.9m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 51nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5300pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 94W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA | |
공급 장치 패키지 | PG-TO251-3 | |
표준 포장 | 1,500 | |
다른 이름 | IPU039N03L G IPU039N03LGIN IPU039N03LGIN-ND SP000256162 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPU039N03LGXK | |
관련 링크 | IPU039N, IPU039N03LGXK 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | CMF5580K000FEEK | RES 80K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5580K000FEEK.pdf | |
![]() | 943Y52 | 943Y52 ORIGINAL QFP | 943Y52.pdf | |
![]() | W2457-70L | W2457-70L ORIGINAL SMD or Through Hole | W2457-70L.pdf | |
![]() | VBFZ-2000+ | VBFZ-2000+ MINI-CIRCUITS nlu | VBFZ-2000+.pdf | |
![]() | NJM2073M-TE2 | NJM2073M-TE2 JRC SOP8 | NJM2073M-TE2.pdf | |
![]() | BU2346 | BU2346 ORIGINAL TO-3P | BU2346.pdf | |
![]() | TL-12*2W | TL-12*2W ORIGINAL SMD or Through Hole | TL-12*2W .pdf | |
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![]() | 18F4550-I/P | 18F4550-I/P MICROCHIP DIP-40 | 18F4550-I/P.pdf | |
![]() | TM200CZ-24 | TM200CZ-24 ORIGINAL SMD or Through Hole | TM200CZ-24.pdf | |
![]() | HIN8211CPA | HIN8211CPA HARRIS DIP-8 | HIN8211CPA.pdf |