창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPU039N03LGXK | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IP(F,U)039N03L G | |
| 카탈로그 페이지 | 1613 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.9m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 51nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5300pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 94W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO251-3 | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 다른 이름 | IPU039N03L G IPU039N03LGIN IPU039N03LGIN-ND SP000256162 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPU039N03LGXK | |
| 관련 링크 | IPU039N, IPU039N03LGXK 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | ECS-143-20-23B-TR | 14.31818MHz ±30ppm 수정 20pF 80옴 -10°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ECS-143-20-23B-TR.pdf | |
![]() | L100J10RE | RES CHAS MNT 10 OHM 5% 100W | L100J10RE.pdf | |
![]() | CRA06S04311R0JTA | RES ARRAY 2 RES 11 OHM 0606 | CRA06S04311R0JTA.pdf | |
![]() | CPR03R3600JE31 | RES 0.36 OHM 3W 5% RADIAL | CPR03R3600JE31.pdf | |
![]() | 28370G-23 | 28370G-23 MNDSPEED QFP | 28370G-23.pdf | |
![]() | REF120AU | REF120AU BB SOP8 | REF120AU.pdf | |
![]() | 18125000222gc | 18125000222gc syfer SMD or Through Hole | 18125000222gc.pdf | |
![]() | BQ4010MA-200 | BQ4010MA-200 TI DIP | BQ4010MA-200.pdf | |
![]() | P4KA36 | P4KA36 VISHAY DO-41 | P4KA36.pdf | |
![]() | JG82875 SLH59 | JG82875 SLH59 ORIGINAL SMD or Through Hole | JG82875 SLH59.pdf | |
![]() | PRC221F2201 | PRC221F2201 ORIGINAL 232276362202PHY | PRC221F2201.pdf | |
![]() | LP3855EMPX-ADJ/NOP | LP3855EMPX-ADJ/NOP NS SOT-223 | LP3855EMPX-ADJ/NOP.pdf |