창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPT015N10N5ATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPT015N10N5 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 300A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.5m옴 @ 150A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.8V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 211nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 16000pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 375W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-PowerSFN | |
| 공급 장치 패키지 | PG-HSOF-8-1 | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 다른 이름 | IPT015N10N5ATMA1TR SP001227040 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPT015N10N5ATMA1 | |
| 관련 링크 | IPT015N10, IPT015N10N5ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | PT10R-820-VM | 10µH Unshielded Toroidal Inductor 9.3A 10 mOhm Max Radial | PT10R-820-VM.pdf | |
![]() | RT0805BRD071K37L | RES SMD 1.37K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RT0805BRD071K37L.pdf | |
![]() | TA810PW10R0J | RES 10 OHM 10W 5% RADIAL | TA810PW10R0J.pdf | |
![]() | E3RA-DN23 | SENSOR PHOTO DIFF 700M NPN M12 | E3RA-DN23.pdf | |
![]() | 32R307 | 32R307 FAI TO-263 | 32R307.pdf | |
![]() | 41.52.9012 | 41.52.9012 FINDER DIP-SOP | 41.52.9012.pdf | |
![]() | DG4599DL-T1 | DG4599DL-T1 VISHAY SC70-6 | DG4599DL-T1.pdf | |
![]() | APT1001R6BFLL | APT1001R6BFLL APT TO-247B | APT1001R6BFLL.pdf | |
![]() | SC68285PK283 | SC68285PK283 MOT SMD or Through Hole | SC68285PK283.pdf | |
![]() | TC226K06BT | TC226K06BT JARO SMD or Through Hole | TC226K06BT.pdf | |
![]() | SP8K80 | SP8K80 ROHM SOP8 | SP8K80.pdf | |
![]() | BH7673 | BH7673 ROHM DIPSOP | BH7673.pdf |