창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPT007N06NATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPT007N06N | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 300A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 0.75m옴 @ 150A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.3V @ 280µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 216nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 16000pF @ 30V | |
전력 - 최대 | 375W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-PowerSFN | |
공급 장치 패키지 | PG-HSOF-8-1 | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | IPT007N06N IPT007N06NATMA1TR SP001100158 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPT007N06NATMA1 | |
관련 링크 | IPT007N06, IPT007N06NATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
C315C471J2G5CA | 470pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.150" L x 0.100" W(3.81mm x 2.54mm) | C315C471J2G5CA.pdf | ||
KTR25JZPJ164 | RES SMD 160K OHM 5% 1/3W 1210 | KTR25JZPJ164.pdf | ||
CRCW12064R02FMTA | RES SMD 4.02 OHM 1% 1/4W 1206 | CRCW12064R02FMTA.pdf | ||
LM8534M | LM8534M NSC 7.2mm 20 | LM8534M.pdf | ||
TC58DVG02A1TG10 | TC58DVG02A1TG10 TOSHIBA TSOP48 | TC58DVG02A1TG10.pdf | ||
ABM42C-20.000MHZ-BT | ABM42C-20.000MHZ-BT abracon SMD or Through Hole | ABM42C-20.000MHZ-BT.pdf | ||
ICM7209CPA | ICM7209CPA HARRIS DIP8 | ICM7209CPA.pdf | ||
NRSH182M6.3V10 x 16F | NRSH182M6.3V10 x 16F NIC DIP | NRSH182M6.3V10 x 16F.pdf | ||
CRS-RS FA10303 | CRS-RS FA10303 LEDIL SMD or Through Hole | CRS-RS FA10303.pdf | ||
UPD6133GS-534-T1 | UPD6133GS-534-T1 NEC SOP5.2mm | UPD6133GS-534-T1.pdf | ||
4V220UF\D\ | 4V220UF\D\ SANYO SMD or Through Hole | 4V220UF\D\.pdf |