창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPT007N06NATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPT007N06N | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 300A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 0.75m옴 @ 150A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.3V @ 280µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 216nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 16000pF @ 30V | |
| 전력 - 최대 | 375W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-PowerSFN | |
| 공급 장치 패키지 | PG-HSOF-8-1 | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 다른 이름 | IPT007N06N IPT007N06NATMA1TR SP001100158 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPT007N06NATMA1 | |
| 관련 링크 | IPT007N06, IPT007N06NATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
|  | TEP318 | TEP318 INF TO-252 | TEP318.pdf | |
|  | 2SK660(M) | 2SK660(M) NEC TO-92S | 2SK660(M).pdf | |
|  | BTS432D2 | BTS432D2 SIEMENS TO220 | BTS432D2.pdf | |
|  | T0510SH | T0510SH ST TO-220 | T0510SH.pdf | |
|  | MT41J64M16LA-187E IT:B | MT41J64M16LA-187E IT:B MICRON 96FBGA | MT41J64M16LA-187E IT:B.pdf | |
|  | MMBD1204/27 | MMBD1204/27 FAI SOT-23 | MMBD1204/27.pdf | |
|  | KS-21905L1 | KS-21905L1 NS CDIP 14 | KS-21905L1.pdf | |
|  | DAT114YF | DAT114YF ROHM TO92Y | DAT114YF.pdf | |
|  | MAX4066CSA | MAX4066CSA MAXIM SOP | MAX4066CSA.pdf | |
|  | 2SA012-T1B | 2SA012-T1B NEC SMD or Through Hole | 2SA012-T1B.pdf | |
|  | KSB772YSTSTU | KSB772YSTSTU Fairchild TO126 | KSB772YSTSTU.pdf | |
|  | V275K5 | V275K5 ISA SMD or Through Hole | V275K5.pdf |