창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPS65R600E6AKMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | lPS65R600E6 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ E6 | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.3A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 600m옴 @ 2.1A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 210µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 23nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 440pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 63W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-251-3 스터브 리드(lead), IPak | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO251-3 | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 다른 이름 | SP001273092 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPS65R600E6AKMA1 | |
| 관련 링크 | IPS65R600, IPS65R600E6AKMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | PC414454VM2 | PC414454VM2 MOTOROLA BGA | PC414454VM2.pdf | |
![]() | C3216CH2J332JT000N | C3216CH2J332JT000N TDK 1206-332J | C3216CH2J332JT000N.pdf | |
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![]() | MCR-1 | MCR-1 NEC SMD or Through Hole | MCR-1.pdf | |
![]() | CN38XX-600BG1521-NSP-PR-Y | CN38XX-600BG1521-NSP-PR-Y ORIGINAL BGA | CN38XX-600BG1521-NSP-PR-Y.pdf | |
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![]() | FF14-21A-R11B | FF14-21A-R11B DDK SMD or Through Hole | FF14-21A-R11B.pdf | |
![]() | PVI5033 | PVI5033 IOR SOP8 | PVI5033.pdf | |
![]() | KAT00F029M-BE77 | KAT00F029M-BE77 SAMSUNG BGA | KAT00F029M-BE77.pdf |