Infineon Technologies IPS090N03LGAKMA1

IPS090N03LGAKMA1
제조업체 부품 번호
IPS090N03LGAKMA1
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 30V 40A TO251-3
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내부 부품 번호EIS-IPS090N03LGAKMA1
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서IP(D,F,S,U)090N03LG
PCN 단종/ EOLMultiple Devices 19/Mar/2010
카탈로그 페이지 1613 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열OptiMOS™
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C40A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs9m옴 @ 30A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.2V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs15nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1600pF @ 15V
전력 - 최대42W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-251-3 스터브 리드(lead), IPak
공급 장치 패키지PG-TO251-3
표준 포장 1,500
다른 이름IPS090N03L G
IPS090N03LGIN
IPS090N03LGIN-ND
IPS090N03LGXK
SP000252578
SP000788216
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)IPS090N03LGAKMA1
관련 링크IPS090N03, IPS090N03LGAKMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통
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