창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPS060N03LGAKMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IP(D,F,S,U)060N03L G | |
| PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 19/Mar/2010 | |
| 카탈로그 페이지 | 1613 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 23nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2400pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 56W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-251-3 스터브 리드(lead), IPak | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO251-3 | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 다른 이름 | IPS060N03L G IPS060N03LGIN IPS060N03LGIN-ND IPS060N03LGXK SP000252576 SP000705724 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPS060N03LGAKMA1 | |
| 관련 링크 | IPS060N03, IPS060N03LGAKMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0805D821KLAAJ | 820pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D821KLAAJ.pdf | |
![]() | 520M15IT20M0000 | 20MHz Clipped Sine Wave TCXO Oscillator Surface Mount 1.8V 2mA | 520M15IT20M0000.pdf | |
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![]() | BXS6-A-T-6 | BXS6-A-T-6 BI SOP6 | BXS6-A-T-6.pdf | |
![]() | MAX933CUL | MAX933CUL MAX SSOP-8 | MAX933CUL.pdf | |
![]() | APA600FG676 | APA600FG676 MOT BGA | APA600FG676.pdf | |
![]() | HWP20RG1696..X2. | HWP20RG1696..X2. ORIGINAL SMD or Through Hole | HWP20RG1696..X2..pdf | |
![]() | TSL0709S-330K1R0-PF | TSL0709S-330K1R0-PF TDK SMD or Through Hole | TSL0709S-330K1R0-PF.pdf | |
![]() | ADM1022AS1RQ | ADM1022AS1RQ AD SSOP | ADM1022AS1RQ.pdf | |
![]() | LAG665-SMD | LAG665-SMD SANYO SMD or Through Hole | LAG665-SMD.pdf | |
![]() | MBM29DL324BD-90PFTN | MBM29DL324BD-90PFTN TOSHIBA DIP | MBM29DL324BD-90PFTN.pdf |