창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPS040N03L G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPD,IPS040N03L G | |
PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 19/Mar/2010 | |
카탈로그 페이지 | 1613 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 90A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 38nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3900pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 79W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-251-3 스터브 리드(lead), IPak | |
공급 장치 패키지 | PG-TO251-3 | |
표준 포장 | 1,500 | |
다른 이름 | IPS040N03LG IPS040N03LGAKMA1 IPS040N03LGIN IPS040N03LGXK SP000256159 SP000810846 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPS040N03L G | |
관련 링크 | IPS040N, IPS040N03L G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | ERJ-2RKF1213X | RES SMD 121K OHM 1% 1/10W 0402 | ERJ-2RKF1213X.pdf | |
![]() | CRCW12061K80JNEA | RES SMD 1.8K OHM 5% 1/4W 1206 | CRCW12061K80JNEA.pdf | |
![]() | 1N4745A.133 | 1N4745A.133 NXP SMD or Through Hole | 1N4745A.133.pdf | |
![]() | 87SM | 87SM TWN SMD6 | 87SM.pdf | |
![]() | KR3DM | KR3DM ST SMD or Through Hole | KR3DM.pdf | |
![]() | SRF1880NHC32A | SRF1880NHC32A TOSHIBA SMD or Through Hole | SRF1880NHC32A.pdf | |
![]() | PMBTA64/215 | PMBTA64/215 NXP SOP | PMBTA64/215.pdf | |
![]() | IR333-A( ) | IR333-A( ) ORIGINAL SMD or Through Hole | IR333-A( ).pdf | |
![]() | 3314G102E | 3314G102E BOURNS SMD or Through Hole | 3314G102E.pdf | |
![]() | TME514A | TME514A EQUATOR BGA | TME514A.pdf | |
![]() | LT936C | LT936C LT SOP8 | LT936C.pdf | |
![]() | LRGUT400F120C | LRGUT400F120C SHINDENG SMD or Through Hole | LRGUT400F120C.pdf |