창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPP90R800C3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPP90R800C3 | |
| 제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
| 카탈로그 페이지 | 1610 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 900V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.9A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 800m옴 @ 4.1A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 460µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 42nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1100pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 104W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPP90R800C3XKSA1 SP000413748 SP000683102 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPP90R800C3 | |
| 관련 링크 | IPP90R, IPP90R800C3 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | CMR06F202FPDR | CMR MICA | CMR06F202FPDR.pdf | |
![]() | HC-49/U-S16000000BBIB | 16MHz ±50ppm 수정 16pF 50옴 -10°C ~ 60°C 스루홀 HC49/US | HC-49/U-S16000000BBIB.pdf | |
![]() | CMF60562R00FKRE | RES 562 OHM 1W 1% AXIAL | CMF60562R00FKRE.pdf | |
![]() | P13007-S | P13007-S ORIGINAL TO-220 | P13007-S.pdf | |
![]() | RF2637PCK-410 | RF2637PCK-410 RFMD Onlyoriginal | RF2637PCK-410.pdf | |
![]() | PR01000104700JN400 | PR01000104700JN400 VISHAY Call | PR01000104700JN400.pdf | |
![]() | EEEFC1V470P | EEEFC1V470P ORIGINAL SMD | EEEFC1V470P.pdf | |
![]() | PDL02-24S05 | PDL02-24S05 P-DUKE SOP | PDL02-24S05.pdf | |
![]() | VP21137-DSC | VP21137-DSC VLSI QFP | VP21137-DSC.pdf | |
![]() | BMB0805B-102LF | BMB0805B-102LF BITechnologies O8O5 | BMB0805B-102LF.pdf | |
![]() | MB86290 | MB86290 FUJITSU SMD or Through Hole | MB86290.pdf | |
![]() | 2SA952-TAL | 2SA952-TAL NEC SMD or Through Hole | 2SA952-TAL.pdf |