창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP80P04P4L08AKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx80P04P4L-08 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | 자동차, AEC-Q101, OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.2m옴@ 80A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 120µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 92nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5430pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 75W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | SP000840212 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP80P04P4L08AKSA1 | |
관련 링크 | IPP80P04P4, IPP80P04P4L08AKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 20KPA30C-B | TVS DIODE 30VWM 54.08VC P600 | 20KPA30C-B.pdf | |
ECS-122.8-12-33Q-JES-TR | 12.288MHz ±20ppm 수정 12pF 100옴 -40°C ~ 125°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ECS-122.8-12-33Q-JES-TR.pdf | ||
![]() | 156PHC330KN | 156PHC330KN ILLINOIS DIP | 156PHC330KN.pdf | |
![]() | M25C16MN1 | M25C16MN1 ST SOP | M25C16MN1.pdf | |
![]() | ECWF2104JSB | ECWF2104JSB PAN SMD or Through Hole | ECWF2104JSB.pdf | |
![]() | EMK105RH180JW-F | EMK105RH180JW-F ORIGINAL SMD | EMK105RH180JW-F.pdf | |
![]() | EP2A40F1020I8 | EP2A40F1020I8 ALTERA BGA | EP2A40F1020I8.pdf | |
![]() | UPD431000AGU | UPD431000AGU NEC SMD or Through Hole | UPD431000AGU.pdf | |
![]() | M74VHC1G132DFT2G | M74VHC1G132DFT2G ON 14SOIC | M74VHC1G132DFT2G.pdf | |
![]() | NE5501F | NE5501F PHILIPS CDIP16 | NE5501F.pdf | |
![]() | ADS803E/1KG4 | ADS803E/1KG4 TI/BB SSOP28 | ADS803E/1KG4.pdf | |
![]() | PSB4400P/PSB4400P-V1.1 | PSB4400P/PSB4400P-V1.1 SIEMENS SMD or Through Hole | PSB4400P/PSB4400P-V1.1.pdf |