창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPP80N08S207AKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx80N08S2-07 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.4m옴 @ 80A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 180nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4700pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 300W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPP80N08S2-07 IPP80N08S2-07-ND SP000219040 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPP80N08S207AKSA1 | |
| 관련 링크 | IPP80N08S2, IPP80N08S207AKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | KTR25JZPJ334 | RES SMD 330K OHM 5% 1/3W 1210 | KTR25JZPJ334.pdf | |
![]() | TNPW2010511KBETF | RES SMD 511K OHM 0.1% 0.4W 2010 | TNPW2010511KBETF.pdf | |
![]() | RNMF14FTD182K | RES 182K OHM 1/4W 1% AXIAL | RNMF14FTD182K.pdf | |
![]() | G2018C | G2018C Gainta SMD or Through Hole | G2018C.pdf | |
![]() | L1A9490 | L1A9490 ORIGINAL SMD or Through Hole | L1A9490.pdf | |
![]() | PD8020 | PD8020 ORIGINAL SMD or Through Hole | PD8020.pdf | |
![]() | BTA16-600BRG(16A/600V) | BTA16-600BRG(16A/600V) ST SMD or Through Hole | BTA16-600BRG(16A/600V).pdf | |
![]() | FCM-8520-3 | FCM-8520-3 FINISAR SMD or Through Hole | FCM-8520-3.pdf | |
![]() | LSHX-65CHB-BF3 | LSHX-65CHB-BF3 HITACHI WIMAX2.5G1T2RFEMw | LSHX-65CHB-BF3.pdf | |
![]() | TD27C128A | TD27C128A INTEL DIP | TD27C128A.pdf | |
![]() | KEC KRC104S | KEC KRC104S KEC SMD | KEC KRC104S.pdf | |
![]() | 5Z3S-3.3 | 5Z3S-3.3 SC SOT-223 | 5Z3S-3.3.pdf |