창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP80N08S207AKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx80N08S2-07 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.4m옴 @ 80A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 180nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4700pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP80N08S2-07 IPP80N08S2-07-ND SP000219040 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP80N08S207AKSA1 | |
관련 링크 | IPP80N08S2, IPP80N08S207AKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 381LX820M315H012 | 82µF 315V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 3000 Hrs @ 105°C | 381LX820M315H012.pdf | |
![]() | 06035A331GAT2A | 330pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06035A331GAT2A.pdf | |
![]() | 08055C683KAT4P | 0.068µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 08055C683KAT4P.pdf | |
![]() | MLG0603P6N8HTD25 | 6.8nH Unshielded Multilayer Inductor 300mA 750 mOhm Max 0201 (0603 Metric) | MLG0603P6N8HTD25.pdf | |
![]() | AC0402FR-074K32L | RES SMD 4.32K OHM 1% 1/16W 0402 | AC0402FR-074K32L.pdf | |
![]() | CMF55165R00FKEB | RES 165 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF55165R00FKEB.pdf | |
![]() | TOP269EG | Converter Offline Flyback Topology 66kHz, 132kHz eSIP-7C | TOP269EG.pdf | |
![]() | SNB | SNB MIC SOT23-6 | SNB.pdf | |
![]() | Q002DN | Q002DN VISHAY QFN-8 | Q002DN.pdf | |
![]() | KBL8M | KBL8M ORIGINAL KBL | KBL8M.pdf | |
![]() | AGL1000V5-FGG484 | AGL1000V5-FGG484 MicrosemiSoC SMD or Through Hole | AGL1000V5-FGG484.pdf | |
![]() | COP8SGE7 | COP8SGE7 NS SOP28 | COP8SGE7.pdf |