창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP80N06S407AKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx80N06S4-07 | |
PCN 부품 상태 변경 | Wafer Fab Transfer 02/Jun/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 주문 불가 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.4m옴 @ 80A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 40µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 56nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4500pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 79W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP80N06S4-07 IPP80N06S4-07-ND SP000415706 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP80N06S407AKSA1 | |
관련 링크 | IPP80N06S4, IPP80N06S407AKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | B43504E2477M67 | 470µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 270 mOhm @ 100Hz 3000 Hrs @ 105°C | B43504E2477M67.pdf | |
![]() | CGA2B3X8R1E153K050BD | 0.015µF 25V 세라믹 커패시터 X8R 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | CGA2B3X8R1E153K050BD.pdf | |
![]() | 416F480X2CKT | 48MHz ±15ppm 수정 8pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F480X2CKT.pdf | |
![]() | 1725837-1 | 1725837-1 ORIGINAL NEW | 1725837-1.pdf | |
![]() | AN304P | AN304P PANASONIC DIP14 | AN304P.pdf | |
![]() | OBTI(AAF) | OBTI(AAF) TI SMD or Through Hole | OBTI(AAF).pdf | |
![]() | DR381B-M04 | DR381B-M04 DUREL SMD or Through Hole | DR381B-M04.pdf | |
![]() | CDH74-100LC | CDH74-100LC SUMIDA SMD | CDH74-100LC.pdf | |
![]() | NRSZ470M25V5X11TBF | NRSZ470M25V5X11TBF NIC DIP | NRSZ470M25V5X11TBF.pdf | |
![]() | CEUMK212F105ZG-T | CEUMK212F105ZG-T TAIYO SMD | CEUMK212F105ZG-T.pdf | |
![]() | 320AIC23PW | 320AIC23PW TI TSSOP28 | 320AIC23PW.pdf |