창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP80N06S405AKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx80N06S4-05 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.7m옴 @ 80A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 60µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 81nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6500pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 107W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP80N06S4-05 IPP80N06S4-05-ND SP000415704 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP80N06S405AKSA1 | |
관련 링크 | IPP80N06S4, IPP80N06S405AKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
FG14X7S2A684KRT06 | 0.68µF 100V 세라믹 커패시터 X7S 방사 0.177" L x 0.118" W(4.50mm x 3.00mm) | FG14X7S2A684KRT06.pdf | ||
![]() | TMC010R2000FE02 | RES CHAS MNT 0.2 OHM 1% 12.5W | TMC010R2000FE02.pdf | |
![]() | PF1262-9K1F1 | RES 9.1K OHM 20W 1% TO126 | PF1262-9K1F1.pdf | |
![]() | TPKE337K010R0035 | TPKE337K010R0035 AVX SMD | TPKE337K010R0035.pdf | |
![]() | R-12U692Y | R-12U692Y MITSUMI SMD or Through Hole | R-12U692Y.pdf | |
![]() | MC33161DWR | MC33161DWR MOTOROLA SOP | MC33161DWR.pdf | |
![]() | LP3987ITLX-2.85 NOPB | LP3987ITLX-2.85 NOPB NSC SMD or Through Hole | LP3987ITLX-2.85 NOPB.pdf | |
![]() | G3RD-X02SN DC12V 50VDC | G3RD-X02SN DC12V 50VDC ORIGINAL SMD or Through Hole | G3RD-X02SN DC12V 50VDC.pdf | |
![]() | TARR474M050RNJ | TARR474M050RNJ AVX R | TARR474M050RNJ.pdf | |
![]() | 91931-31111LF | 91931-31111LF FCIELX SMD or Through Hole | 91931-31111LF.pdf | |
![]() | GEIC2 | GEIC2 GE DIP14 | GEIC2.pdf | |
![]() | CC0805JRNPO9BN102(C0805-102J/50V) | CC0805JRNPO9BN102(C0805-102J/50V) YAGEO SMD or Through Hole | CC0805JRNPO9BN102(C0805-102J/50V).pdf |