창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP80N06S208AKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx80N06S2-08 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fab/Test Site Addition 16/Oct/2014 Wafer Fab/Test Site Addition 15/Dec/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8m옴 @ 58A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 150µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 96nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2860pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 215W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP80N06S2-08 IPP80N06S2-08-ND SP000218826 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP80N06S208AKSA1 | |
관련 링크 | IPP80N06S2, IPP80N06S208AKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 1.5KE6.8A-G | TVS DIODE 5.8VWM 10.5VC DO201 | 1.5KE6.8A-G.pdf | |
![]() | SN74AC574PWR | SN74AC574PWR TI SMD or Through Hole | SN74AC574PWR.pdf | |
![]() | ES6889F | ES6889F ESS QFP | ES6889F.pdf | |
![]() | APT5010LNR | APT5010LNR APT TO-3PL | APT5010LNR.pdf | |
![]() | SAB80C515-M | SAB80C515-M INFINEON SMD or Through Hole | SAB80C515-M.pdf | |
![]() | ISL6314 | ISL6314 INTERSL QFN | ISL6314.pdf | |
![]() | MAX999EUK- | MAX999EUK- MAXIM SMD or Through Hole | MAX999EUK-.pdf | |
![]() | MTV212MS64V EH | MTV212MS64V EH MYSON na | MTV212MS64V EH.pdf | |
![]() | PB105M | PB105M TAIW SMD or Through Hole | PB105M.pdf | |
![]() | C0603Y5V153Z500NT | C0603Y5V153Z500NT EYANG 0603-153Z | C0603Y5V153Z500NT.pdf | |
![]() | YG225D8F111 | YG225D8F111 ORIGINAL TO-220F | YG225D8F111.pdf | |
![]() | R1501J060B-TR-F | R1501J060B-TR-F RICOH TO-252-5-P2 | R1501J060B-TR-F.pdf |