창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPP80N06S207AKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPx80N06S2-07 | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Fab/Test Site Addition 16/Oct/2014 Wafer Fab/Test Site Addition 15/Dec/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 주문 불가 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.6m옴 @ 68A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 180µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3400pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 250W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPP80N06S2-07 IPP80N06S2-07-ND SP000218810 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPP80N06S207AKSA1 | |
| 관련 링크 | IPP80N06S2, IPP80N06S207AKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | DTV56L-E3/45 | DIODE GEN PURP 1.5KV 10A TO220AC | DTV56L-E3/45.pdf | |
![]() | MCR01MRTJ622 | RES SMD 6.2K OHM 5% 1/16W 0402 | MCR01MRTJ622.pdf | |
![]() | KTR25JZPF2R00 | RES SMD 2 OHM 1% 1/3W 1210 | KTR25JZPF2R00.pdf | |
![]() | PHP00805E2522BST1 | RES SMD 25.2K OHM 0.1% 5/8W 0805 | PHP00805E2522BST1.pdf | |
![]() | TCM9500MD | TCM9500MD TOSHIBA SMD | TCM9500MD.pdf | |
![]() | 4500-521-9670-16/KA3 | 4500-521-9670-16/KA3 TAICHAN SMD or Through Hole | 4500-521-9670-16/KA3.pdf | |
![]() | IDT74FCT843BP | IDT74FCT843BP IDT SMD or Through Hole | IDT74FCT843BP.pdf | |
![]() | iSPLSI-1032E-100LJ | iSPLSI-1032E-100LJ LATTICE PLCC84 | iSPLSI-1032E-100LJ.pdf | |
![]() | TT1.5-1-KK81+ | TT1.5-1-KK81+ Mini-Circuits SMD or Through Hole | TT1.5-1-KK81+.pdf | |
![]() | LM3670 | LM3670 NS SMD or Through Hole | LM3670.pdf | |
![]() | PTAS5086DBT | PTAS5086DBT TI SOP | PTAS5086DBT.pdf |