창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IPP80N06S205AKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IPB,IPP80N06S2-05 | |
| PCN 단종/ EOL | Mult Device EOL 1/Apr/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 생산 종료 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.1m옴 @ 80A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 170nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5110pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 300W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | IPP80N06S2-05 IPP80N06S2-05-ND SP000218873 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IPP80N06S205AKSA1 | |
| 관련 링크 | IPP80N06S2, IPP80N06S205AKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | 0324010.H | FUSE CERM 10A 250VAC 125VDC 3AB | 0324010.H.pdf | |
![]() | SIT8209AC-83-33S-125.000000T | OSC XO 3.3V 125MHZ ST | SIT8209AC-83-33S-125.000000T.pdf | |
![]() | BSTR62186 | BSTR62186 SIEMENS MODULE | BSTR62186.pdf | |
![]() | IR6/23 | IR6/23 SANYO SOT-23 | IR6/23.pdf | |
![]() | MCM67B518FN10R | MCM67B518FN10R FREESCALE PLCC | MCM67B518FN10R.pdf | |
![]() | RFA113A | RFA113A NEC DIP6 | RFA113A.pdf | |
![]() | RN732BTTD1002B25 | RN732BTTD1002B25 KOA SMD or Through Hole | RN732BTTD1002B25.pdf | |
![]() | UPD85652S1-611-6C | UPD85652S1-611-6C NEC BGA | UPD85652S1-611-6C.pdf | |
![]() | 613BN-A213EKP3 | 613BN-A213EKP3 TOKO SMD or Through Hole | 613BN-A213EKP3.pdf | |
![]() | Si91841DT-36-T1-E3 | Si91841DT-36-T1-E3 Vishay SMD or Through Hole | Si91841DT-36-T1-E3.pdf |