창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP80N04S4L04AKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx80N04S4L-04 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.3m옴 @ 80A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 35µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 60nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4690pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 71W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP80N04S4L-04 IPP80N04S4L-04-ND SP000646198 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP80N04S4L04AKSA1 | |
관련 링크 | IPP80N04S4, IPP80N04S4L04AKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | RG1608P-2802-W-T1 | RES SMD 28K OHM 0.05% 1/10W 0603 | RG1608P-2802-W-T1.pdf | |
![]() | RNV14FAL1M00 | RES MF HV .25W 1M OHM 1% AXIAL | RNV14FAL1M00.pdf | |
![]() | CMF5517K800FKR6 | RES 17.8K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5517K800FKR6.pdf | |
![]() | 3COM40-0336-004 | 3COM40-0336-004 ORIGINAL QFP | 3COM40-0336-004.pdf | |
![]() | RAD5A4-70TCH176 | RAD5A4-70TCH176 ORIGINAL QFP | RAD5A4-70TCH176.pdf | |
![]() | LTC3429ES6 TEL:82766440 | LTC3429ES6 TEL:82766440 LT SOT163 | LTC3429ES6 TEL:82766440.pdf | |
![]() | AD5263BRU50-REEL7 | AD5263BRU50-REEL7 ADI SMD or Through Hole | AD5263BRU50-REEL7.pdf | |
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![]() | NLC252018T-470J-N | NLC252018T-470J-N ORIGINAL SMD | NLC252018T-470J-N.pdf | |
![]() | TP2S XXXX -3W | TP2S XXXX -3W MAX SMD or Through Hole | TP2S XXXX -3W.pdf | |
![]() | DS2612AH/883 | DS2612AH/883 NSC CAN8 | DS2612AH/883.pdf | |
![]() | K9F1G08UOM-PIB0 | K9F1G08UOM-PIB0 SAMSUNG TSOP48 | K9F1G08UOM-PIB0.pdf |