창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP80N04S404AKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx80N04S4-04 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.6m옴 @ 80A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 35µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 43nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3440pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 71W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP80N04S4-04 IPP80N04S4-04-ND SP000646196 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP80N04S404AKSA1 | |
관련 링크 | IPP80N04S4, IPP80N04S404AKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | TS11DF23CDT | 11.2896MHz ±20ppm 수정 18pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | TS11DF23CDT.pdf | |
![]() | Y0062112R000V9L | RES 112 OHM 0.6W 0.005% RADIAL | Y0062112R000V9L.pdf | |
![]() | V55MLA0603LNR | V55MLA0603LNR LITTELFUSE SMD or Through Hole | V55MLA0603LNR.pdf | |
![]() | DS1040Z75 | DS1040Z75 Maxim/Dallas SMD or Through Hole | DS1040Z75.pdf | |
![]() | TND05V-390K | TND05V-390K NIPPON DIP | TND05V-390K.pdf | |
![]() | TDK9840 | TDK9840 PHILIPS DIP | TDK9840.pdf | |
![]() | 2N2402 | 2N2402 MOT CAN | 2N2402.pdf | |
![]() | MTD6N10ET4G | MTD6N10ET4G ON TO-252 | MTD6N10ET4G.pdf | |
![]() | DAC87D-CBI-I/883 | DAC87D-CBI-I/883 BB DIP | DAC87D-CBI-I/883.pdf | |
![]() | UN5112TX | UN5112TX PANASONIC SMD or Through Hole | UN5112TX.pdf |