창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP80N04S3H4AKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx80N04S3-H4 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.8m옴 @ 80A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 65µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 60nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3900pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 115W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP80N04S3-H4 IPP80N04S3-H4-ND SP000415702 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP80N04S3H4AKSA1 | |
관련 링크 | IPP80N04S3, IPP80N04S3H4AKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | PM2110-681K-RC | 680µH Unshielded Toroidal Inductor 2.1A 202 mOhm Max Nonstandard | PM2110-681K-RC.pdf | |
![]() | 1812-820K | 82nH Unshielded Inductor 700mA 250 mOhm Max 2-SMD | 1812-820K.pdf | |
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![]() | P-80C52CWHM-16 | P-80C52CWHM-16 MHS DIP | P-80C52CWHM-16.pdf | |
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![]() | RJF-6V331MF3 | RJF-6V331MF3 ELNA DIP | RJF-6V331MF3.pdf | |
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![]() | 32.768MHZ VCC1-B3D | 32.768MHZ VCC1-B3D VECTRON VCC1-B3D(57)06 | 32.768MHZ VCC1-B3D.pdf | |
![]() | CY241V08SC | CY241V08SC CY SOP8 | CY241V08SC.pdf | |
![]() | RN2611 / YM | RN2611 / YM TOSHIBA SOT-163 | RN2611 / YM.pdf | |
![]() | T491E476M035AS | T491E476M035AS KEMET E | T491E476M035AS.pdf |