창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPP80N04S306AKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPx80N04S3-06 | |
PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 20/Jul/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1611 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.7m옴 @ 80A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 52µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 47nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3250pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 100W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | IPP80N04S3-06 IPP80N04S3-06-ND IPP80N04S306 SP000261233 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPP80N04S306AKSA1 | |
관련 링크 | IPP80N04S3, IPP80N04S306AKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | RL1206JR-7W0R75L | RES SMD 0.75 OHM 5% 1/2W 1206 | RL1206JR-7W0R75L.pdf | |
![]() | RG2012V-621-B-T5 | RES SMD 620 OHM 0.1% 1/8W 0805 | RG2012V-621-B-T5.pdf | |
![]() | CMF5515R000DHEB | RES 15 OHM 1/2W 0.5% AXIAL | CMF5515R000DHEB.pdf | |
![]() | 142-103LAG-RB1 | NTC Thermistor 10k Disc, 2.54mm | 142-103LAG-RB1.pdf | |
![]() | SPDC210A-HL021 | SPDC210A-HL021 SUNPLUS SMD or Through Hole | SPDC210A-HL021.pdf | |
![]() | C1CA005G | C1CA005G OMRON SMD or Through Hole | C1CA005G.pdf | |
![]() | JWO75R1 | JWO75R1 LUCENT SMD or Through Hole | JWO75R1.pdf | |
![]() | B66347G0000X127 | B66347G0000X127 epcos SMD or Through Hole | B66347G0000X127.pdf | |
![]() | LT43561 | LT43561 LT QFN | LT43561.pdf | |
![]() | TESVA0J335K1-8R | TESVA0J335K1-8R NEC SMD | TESVA0J335K1-8R.pdf | |
![]() | MF3MOD4001DV/406,1 | MF3MOD4001DV/406,1 PHI PLLMC | MF3MOD4001DV/406,1.pdf |